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J-GLOBAL ID：200903091830255606
半導体ウエーハの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993137763
Publication number (International publication number)：1994349795
Application date： Jun. 08, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 センサーによる検知が可能であって、高い平担度を確保するとともに、裏面のチッピングによる発塵を抑えてデバイスの歩留りを高めることができる半導体ウエーハを製造する方法を提供すること。【構成】 半導体ウエーハの製造方法において、エッチング工程Dにおけるエッチングをアルカリエッチングとするとともに、該エッチング工程と表面研磨工程Fとの間に、アルカリエッチングによってウエーハの裏面に形成された凹凸の一部を除去する裏面研磨工程(スライトポリッシング工程)Eを組み込む。本発明によれば、アルカリエッチングの利点を利用してORP凹凸の無い高平担度の半導体ウエーハを得ることができる。又、アルカリエッチングの欠点(ウエーハの裏面に粗さの大きな凹凸が発生するという欠点)は、裏面研磨工程Eでその凹凸の一部を除去することによって解消され、半導体ウエーハ裏面のチッピングによる発塵が抑えられてデバイスの歩留りが高められる。
Claim (excerpt)：
単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウエーハを得るスライス工程と、該スライス工程によって得られたウエーハを面取りする面取り工程と、面取りされたウエーハを平面化するラッピング工程と、面取り及びラッピングされたウエーハの加工歪を除去するエッチング工程と、エッチングされたウエーハの片面を研磨する表面研磨工程と、研磨されたウエーハを洗浄する洗浄工程を含む半導体ウエーハの製造方法において、前記エッチング工程におけるエッチングをアルカリエッチングとするとともに、該エッチング工程と前記表面研磨工程との間に、前記アルカリエッチングによってウエーハの裏面に形成された凹凸の一部を除去する裏面研磨工程を組み込んだことを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/02
, H01L 21/306
, H01L 21/463
