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J-GLOBAL ID:200903091836434324
基板処理装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
大森 純一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000346602
Publication number (International publication number):2002151569
Application date: Nov. 14, 2000
Publication date: May. 24, 2002
Summary:
【要約】【課題】 フットプリントの極小化及び搬送時間の短縮化を図りつつ、膜質を良好に維持できる基板処理装置を提供すること。【解決手段】 ウエハWを加熱処理する加熱処理室151と、この加熱処理室151と連通され、少なくとも酸素濃度及び圧力の制御が可能なロードロック室152と、加熱処理室151とロードロック室152との間で基ウエハWを搬送する搬送アーム176と、加熱処理室151とロードロック室152との間を遮蔽可能なゲートバルブとを具備する。これにより良質な絶縁膜を形成することができる。また、ウエハWを他のユニットへ搬送させることなく、加熱処理室151に隣接したロードロック室152内で待機させることにより、ウエハWの搬送時間を短縮し、かつフットプリントを低減させることができる。
Claim (excerpt):
基板を加熱処理する加熱処理室と、前記処理室と連通され、少なくとも酸素濃度及び圧力の制御が可能なロードロック室と、前記加熱処理室と前記ロードロック室との間で基板を搬送する搬送アームと、前記加熱処理室と前記ロードロック室との間を遮蔽可能なゲートバルブとを具備することを特徴とする基板処理装置。
IPC (4):
H01L 21/68
, B65G 49/07
, H01L 21/31
, H01L 21/316
FI (4):
H01L 21/68 A
, B65G 49/07 C
, H01L 21/31 A
, H01L 21/316 G
F-Term (29):
5F031CA02
, 5F031FA01
, 5F031FA11
, 5F031FA12
, 5F031MA02
, 5F031MA06
, 5F031MA26
, 5F031MA30
, 5F031NA07
, 5F031NA09
, 5F045AB32
, 5F045AF03
, 5F045AF08
, 5F045BB16
, 5F045DC63
, 5F045DP02
, 5F045DQ10
, 5F045HA24
, 5F058BB07
, 5F058BC02
, 5F058BD04
, 5F058BF46
, 5F058BG01
, 5F058BG02
, 5F058BG03
, 5F058BH02
, 5F058BH03
, 5F058BH04
, 5F058BJ01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
-
基板処理装置及び基板処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-224694
Applicant:国際電気株式会社, 株式会社日立製作所
-
処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-008516
Applicant:東京エレクトロン東北株式会社
-
加熱炉及びワークの加熱処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-115668
Applicant:関西日本電気株式会社
-
ボート
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-221897
Applicant:国際電気株式会社
-
半導体製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-050213
Applicant:日本電気株式会社
-
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-068189
Applicant:株式会社東芝
-
処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-279866
Applicant:東京エレクトロン株式会社
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