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J-GLOBAL ID：200903091836579373
自動照射制御システム用のX線検出器及び医用イメージング・システム用のX線検出器
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
生沼 徳二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996327398
Publication number (International publication number)：1997257947
Application date： Dec. 09, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：
【要約】【課題】 可視画像のアーティファクトの発生を最小限にするようにX線減衰変動を最小にすることのできる自動照射制御システム用のX線検出器を提供する。【解決手段】 本発明に係る自動照射制御システム用のX線検出器23は、炭素合成物の基板40を有している。基板40の主表面上に導電性材料の第1の層42が設けられている。CsTe、CdZnTe又は非晶質シリコンのような均一な半導体材料の第2の層44が第1の層42上に堆積されている。第2の層44の導電率のような電気的特性は、X線の衝突に応答して変化する。半導体層44の表面上に導電性材料の第3の層46が形成されている。第3の層46は複数の電極素子47、48に分割されている。複数の電極素子47、48は半導体材料の層44に複数の領域を画定している。第1の層42と各々の電極素子との間の導電率を検知することにより、異なる領域に衝突するX線の強度を測定することができる。
Claim (excerpt)：
主表面を有している基板と、前記主表面上の第1の電極層と、該第1の電極上に堆積しており、X線の衝突に応答して変化する電気特性を有している半導体材料の層と、該半導体材料の層の上に且つ前記第1の電極層から遠く離れて設けられている第2の電極層とを備えており、前記第1の電極層及び前記第2の電極層の一方は、複数の導電性素子に分割されており、これにより、前記半導体材料の層に複数の領域を画定しており、該領域の各々は、前記複数の導電性素子の1つと隣接している自動照射制御システム用のX線検出器。
IPC (5)：
G01T 1/24
, A61B 6/00 300
, H01L 27/14
, H01L 31/09
, H04N 5/32
G01T 1/24
, A61B 6/00 300 S
, H04N 5/32
, H01L 27/14 K
, H01L 31/00 A
