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J-GLOBAL ID：200903091845894230

半導体装置

Inventor： 小園 浩由樹
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 竹村 壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992353627
Publication number (International publication number)：1994181289
Application date： Dec. 14, 1992
Publication date： Jun. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高周波領域においても使用され、自由な配置が可能なインダクタンスを備えた半導体装置を提供する。【構成】 半導体基板1の表面には、ポリイミドなどの絶縁膜を介して、周辺部分を除いてほぼ全面に接地された金属薄膜10が形成され、その上にやはりポリイミド膜を介してインダクタンス6が形成されている。金属薄膜10の形成されていない周縁部分には、インダクタンス6のパッド7、9や金属薄膜10のパッド101が形成されている。金属薄膜10が形成されているので、高周波特性が良く、かつ、インダクタンス6の位置は、金属薄膜10の上の任意の場所に形成することができ、設計上の自由度が大きくなる。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板の主面上に形成されている第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成され、前記半導体基板主面のほぼ全面を被覆する接地された金属薄層と、前記金属薄層を被覆するように前記半導体基板主面上に形成されている第2の絶縁膜と、前記金属薄層の上に配置されるように、前記第2の絶縁膜上に形成されているインダクタンスとを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/04 ,  H01L 23/50