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J-GLOBAL ID：200903091856116752

高誘電体素子とその製造方法

Inventor： 生田目 俊秀 ,  鈴木 孝明 ,  東山 和寿 ,  大石 知司 ,  高橋 研
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996178949
Publication number (International publication number)：1998027886
Application date： Jul. 09, 1996
Publication date： Jan. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】発明の技術分野及び技術課題を簡明に記載する。ペロブスカイト構造の高誘電体薄膜を用いて、高い誘電率および小さなリーク電流密度を持つ集積度の高い高誘電体素子を提供することを目的とする。【解決手段】ペロブスカイト構造の高誘電体薄膜で、結晶格子を構成するA,Bサイト、分極を発生するCサイトにイオン半径の異なる元素を組み合わせることで結晶格子に任意の大きな歪みを与え、その結果高い誘電率および小さなリーク電流密度を有する高誘電体薄膜を電極で挟んだ構造の高誘電体素子として活用することができる。【効果】読み出しおよび書き込みを検出する高集積度な高誘電体素子,メモリーセルを実現できること。

Claim (excerpt)：

上部電極と高誘電体薄膜と下部電極からなる高誘電体素子において、前記高誘電体薄膜がペロブスカイト構造であり、かつ(AO)2+(By-1CyO3y+1)2-A=Tl,Hg,Ce,Y,Pr,Nd,Pm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,LuB=Bi,Pb,Ca,Sr,Baからなる少なくとも1種以上C=Ti,Nb,Ta,W,Mo,Fe,Co,Cr,Zrからなる少なくとも1種以上y=2,3,4,5なる化学構造式で表わされていることを特徴とする高誘電体素子。

IPC (8)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C30B 29/30 ,  C30B 29/32 ,  H01B 3/00 ,  H01J 11/02 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (6)：

H01L 27/10 651 ,  C30B 29/30 Z ,  C30B 29/32 Z ,  H01B 3/00 F ,  H01J 11/02 ,  H01L 27/04 C