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J-GLOBAL ID：200903091872891170

半導体レーザ装置及びその製造方法

Inventor： 斉藤 吉三 ,  服部 弘
Applicant, Patent owner： 本田技研工業株式会社
Agent (1)： 櫻井 俊彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993292842
Publication number (International publication number)：1995131123
Application date： Oct. 28, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】〔目的〕 集積密度が高く、光学的特性も良好な光集積回路形式の半導体レーザ装置を提供する。〔構成〕 半導体基板(11)上に形成されたレーザ素子(10)と、この半導体レーザ素子(10)の光出射面(11c) に光入射面を密着させた状態でかつこの半導体レーザ素子(10)の素材とは屈折率の異なる素材によって半導体基板(11)上に形成されたプリズム(12)などの光学要素を備える。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子の光出射面に光入射面を密着させた状態でかつこの半導体レーザ素子の素材とは屈折率の異なる素材によって前記半導体基板上に形成された光学要素とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  G01C 19/66 ,  H01L 27/15