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J-GLOBAL ID：200903091873966808
表面伝導型電子放出素子およびその製造方法、ならびに同電子放出素子を備えた電子源、画像形成装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
伊東 哲也 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996078163
Publication number (International publication number)：1997245625
Application date： Mar. 07, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：
【要約】【課題】 低コストかつ容易に大面積にわたって均一な電子放出特性を得る。【解決手段】 絶縁性基板1上に対向して形成された素子電極2,3を少なくとも有する電極基板11、および前記素子電極間に形成された導電性薄膜を有する表面伝導型電子放出素子の製造方法において、上記素子電極間に、導電性薄膜を形成する材料を含む溶液9を付与することによって導電性薄膜を形成する工程を有し、また、該溶液を付与する前に、少なくとも、導電性薄膜を形成する電極基板表面を親水化処理(6)する工程、または導電性薄膜を形成しない電極基板表面を疎水化処理(7)する工程のいずれかの工程を有する。
Claim (excerpt)：
絶縁性基板上に対向して形成された素子電極を少なくとも有する電極基板、および前記素子電極間に形成された導電性薄膜を有する表面伝導型電子放出素子の製造方法において、上記素子電極間に、導電性薄膜を形成する材料を含む溶液を付与することによって導電性薄膜を形成する工程を有し、また、該溶液を付与する前に、少なくとも、導電性薄膜を形成する電極基板表面を親水化処理する工程、または導電性薄膜を形成しない電極基板表面を疎水化処理する工程のいずれかの工程を有することを特徴とする表面伝導型電子放出素子の製造方法。
IPC (4)：
H01J 9/02
, B41J 2/01
, H01J 1/30
, H01J 31/12
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 B
, H01J 31/12 C
, B41J 3/04 101 Z
