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J-GLOBAL ID：200903091876795796

半導体ダイヤモンド層上の耐熱性オーミック電極及びその形成方法

Inventor： 林 和志 ,  橘 武史
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993061884
Publication number (International publication number)：1994275554
Application date： Mar. 22, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：

【要約】【目的】 接触抵抗が小さく、高温でも安定なオーミック電極を得ることができる半導体ダイヤモンド層上の耐熱性オーミック電極及びその製造方法を提供する。【構成】 半導体ダイヤモンド層3上に、半導体ダイヤモンド層3との反応により合成した炭化クロム、炭化モリブテン、炭化タングステン、炭化チタン、炭化タンタル、炭化バナジウム、炭化ハフニウム又は炭化ジルコニウムからなる金属炭化物層2と、この金属炭化物層2上に形成され、金属炭化物層2を構成する金属以外の導電体材料からなる電極層6とにより構成されている。

Claim (excerpt)：

半導体ダイヤモンド層上の耐熱性オーミック電極において、炭化クロム、炭化モリブテン、炭化タングステン、炭化チタン、炭化タンタル、炭化バナジウム、炭化ハフニウム及び炭化ジルコニウムからなる群から選択された少なくとも1種の金属炭化物層からなり、前記半導体ダイヤモンド層上に選択的に配設された金属炭化物層と、この金属炭化物層上に形成され前記金属炭化物を構成する金属以外の導電体材料からなる電極層とを有することを特徴とする半導体ダイヤモンド層上の耐熱性オーミック電極。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/324