Pat

J-GLOBAL ID：200903091876883717

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 清水 哲司
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 小林 英一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993303670
Publication number (International publication number)：1995161976
Application date： Dec. 03, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ポリサイド構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 Si基板1上にゲート酸化膜2を介して堆積された下地の多結晶Si膜3の上にシリサイド膜4を形成してなるポリサイド構造を有する半導体装置において、前記シリサイド膜4の上にアモルファスSi膜5を形成した後、酸化膜6を形成することにより、表面が平滑で良好なコンタクト特性のゲート電極を得ることができる。

Claim (excerpt)：

Si基板上にゲート酸化膜を介して堆積された下地の多結晶Si膜の上にシリサイド膜を形成してなるポリサイド構造を有する半導体装置において、前記シリサイド膜の上に多結晶Si膜および/またはアモルファスSi膜を形成してなることを特徴とする半導体装置。