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J-GLOBAL ID：200903091879837589
レチクル・マスクの欠陥修正方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
寒川 誠一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992116580
Publication number (International publication number)：1993313354
Application date： May. 11, 1992
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体装置の製造工程において使用されるレチクル・マスクの欠陥修正方法に関し、修正部分の透過率が低下しないように高い精度をもってレチクル・マスクの欠陥部を修正する方法を提供することを目的とする。【構成】 レチクル・マスクの遮光膜よりなるパターン1に接して形成された残留遮光膜欠陥2のパターン1に接する領域3に収束イオンビームを照射してこの領域3の残留遮光膜欠陥2を除去し、次いで、残余の島状の残留遮光膜欠陥4にレーザを照射して除去するようにする。
Claim (excerpt)：
レチクル・マスクの遮光膜よりなるパターン(1)に接して形成された残留遮光膜欠陥(2)の前記パターン(1)に接する領域(3)に収束イオンビームを照射して該接する領域(3)の前記残留遮光膜欠陥(2)を除去し、残余の島状の残留遮光膜欠陥(4)にレーザを照射して除去することを特徴とするレチクル・マスクの欠陥修正方法。
IPC (2)：
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