Pat
J-GLOBAL ID：200903091885712410

プラズマエッチング方法およびこれを用いて製造された半導体装置

Inventor：
吉福 良一

About 吉福 良一


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 児玉 俊英
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000191992
Publication number (International publication number)：2002016042
Application date： Jun. 27, 2000
Publication date： Jan. 18, 2002
Summary：
【要約】【課題】 CDシフト量の差の変動を減少することができるプラズマエッチング方法を得ることを目的とする。【解決手段】 HBrガスを含むプロセスガスを用いてプラズマエッチングを行うプラズマエッチング方法において、処理台上にシリコンウエハを載置し、エッチング処理室内にフッ素ガスを含むガスプラズマを発生させプラズマエッチングの際にエッチング処理室内に付着している異物を除去し、エッチング処理室内に塩素ガスを含むガスプラズマを発生させ除去工程によりエッチング処理室内に残存するフッ素を塩素に置換し、エッチング処理室内にHBrガスを含むガスプラズマを発生させ、シリコンウエハをエッチングして反応生成物を生成し、反応生成物をエッチング処理室内に所望量付着させる工程とからなるクリーニング工程を経た後、次回のプラズマエッチングを行うものである。
Claim (excerpt)：
エッチング処理室内にて、処理台上に被処理物を載置して、HBrガスを含むプロセスガスを用いてプラズマエッチングを行うプラズマエッチング方法において、上記処理台上にシリコンウエハを載置する工程と、上記エッチング処理室内にフッ素ガスを含むガスプラズマを発生させ上記プラズマエッチングの際に上記エッチング処理室内に付着している異物を除去する除去工程と、上記エッチング処理室内に塩素ガスを含むガスプラズマを発生させ上記除去工程により上記エッチング処理室内に残存するフッ素を塩素に置換する工程と、上記エッチング処理室内にHBrガスを含むガスプラズマを発生させ、上記シリコンウエハをエッチングして反応生成物を生成し、上記反応生成物を上記エッチング処理室内に所望量付着させる工程とからなるクリーニング工程を経た後、次回のプラズマエッチングを行うことを特徴とするプラズマエッチング方法。
FI (2)：
H01L 21/302 N ,  H01L 21/302 F
F-Term (8)：
5F004AA15 ,  5F004BB30 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004DB02 ,  5F004DB15
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM