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J-GLOBAL ID：200903091948573718

発光装置

Inventor：
西 毅

About 西 毅

, 
瀬尾 哲史

About 瀬尾 哲史


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001367454
Publication number (International publication number)：2003168566
Application date： Nov. 30, 2001
Publication date： Jun. 13, 2003
Summary：
【要約】【課題】 TFTの特性に影響を与えることなく、また、これまで用いられてきたアルカリ金属やアルカリ土類金属といった材料を用いた場合のように陰極からの電子の注入性を向上させるような発光素子を提供する。【解決手段】 陰極に接する有機化合物層に電子供与体として機能する有機化合物(以下、ドナー性分子と示す)をドーピングすることにより、陰極と有機化合物層の間にそれぞれの最低空分子軌道(LUMO:Lowest Unoccupied Molecular Orbital)準位の間のドナー準位を形成することができるので、陰極からの電子の注入、および注入された電子の伝達を効率良く行うことができる。また、電子の移動に伴うエネルギーの余分な損失や有機化合物層自体の変質等の問題もないことから陰極材料の仕事関数に拘わらず電子の注入性を向上させると共に駆動電圧の低下を実現することができる。
Claim (excerpt)：
陽極、陰極、及び有機化合物層を有する発光装置であって、前記陽極と前記陰極との間に前記有機化合物層を有し、前記有機化合物層は、発光層および電子伝達層を有し、前記電子伝達層はドナー性分子を含み、かつ前記陰極と接して形成されることを特徴とする発光装置。
IPC (4)：
H05B 33/22 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H05B 33/14
FI (4)：
H05B 33/22 B ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  H05B 33/14 A
F-Term (11)：
3K007AB11 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  5C094AA21 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DA15 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094HA08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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