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J-GLOBAL ID：200903091951302113

ヒートシンク付セラミック回路基板

Inventor： 黒光 祥郎 ,  長瀬 敏之 ,  菅村 邦夫 ,  大槻 真人
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997072962
Publication number (International publication number)：1998270596
Application date： Mar. 26, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】放熱特性を向上し、熱サイクル寿命が長いセラミック回路基板を得る。【解決手段】セラミック基板13の両面に第1及び第2アルミニウム板11,12又は第1及び第2銅板がそれぞれ積層接着された構造体14がアルミニウム11又は銅板を介してヒートシンク16に接合される。構造体14とヒートシンク16が両面にAl融点降下層17aが形成された純度99重量%以上のアルミニウム箔17を介して接合される。Al融点降下層がAl-Si合金層、Al-Cu合金層、Al-Mg合金層、Al-Ni合金層、Al-Ag合金層又はAl-Ce合金層である。構造体及びヒートシンクのそれぞれの接合面がNiめっき11a,16aされる。セラミック基板がAlN,Si3N4又はAl2O3により形成され、ヒートシンクがCu、Al又はAlSiC系複合材料により形成される。アルミニウム箔は5〜500μmの厚さを有する。

Claim (excerpt)：

セラミック基板(13,23)の両面に第1及び第2アルミニウム板(11,12)又は第1及び第2銅板(21,22)がそれぞれ積層接着された構造体(14,24)が前記アルミニウム(11)又は銅板(21)を介してヒートシンク(16)に接合されたヒートシンク付セラミック回路基板において、前記構造体(14,24)と前記ヒートシンク(16)が両面にAl融点降下層(17a)が形成された純度99重量%以上のアルミニウム箔(17)を介して接合されたことを特徴とするヒートシンク付セラミック回路基板。

IPC (3)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/373 ,  H01L 23/48

FI (3)：

H01L 23/12 J ,  H01L 23/48 G ,  H01L 23/36 M