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J-GLOBAL ID:200903091953412480

高温超伝導薄膜の形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 青木 朗 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992011096
Publication number (International publication number):1993194085
Application date: Jan. 24, 1992
Publication date: Aug. 03, 1993
Summary:
【要約】【目的】 MBE法を用いた多成分系酸化物の高温超伝導薄膜の形成方法において酸化反応を促進させることを目的とする。【構成】 活性な酸素ラジカル発生源として、オゾン、窒素酸化物、酸素およびオゾンの混合ガス、又は酸素および窒素酸化物の混合ガスを用いるように構成する。この方法により高い臨界温度を有する超伝導薄膜の作成が可能となる。
Claim (excerpt):
MBE法を用いて多成分系酸化物の高温超伝導薄膜を形成する方法であって、活性な酸素ラジカル発生源として、オゾン、窒素酸化物、酸素およびオゾンの混合ガス、又は酸素および窒素酸化物の混合ガスを用いることを特徴とする、前記高温超伝導薄膜の形成方法。
IPC (8):
C30B 23/08 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  C30B 25/02 ZAA ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 特開昭60-199778

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