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J-GLOBAL ID：200903091959543330

光起電モジュールの特性測定方法および装置ならびに製造方法

Inventor： 吉野 豪人 ,  村上 勉 ,  清水 孝一 ,  竹山 祥史 ,  都築 幸司
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 伊東 哲也 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998155414
Publication number (International publication number)：1999340488
Application date： May. 21, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】 大面積光起電モジュールの特性を安価に測定できるようにする。【解決手段】 バイパスダイオード404、405を有する光起電素子401、402を複数直列接続して構成した光起電モジュールMのモジュール特性を測定する際に、基準光照射手段410、411により光起電モジュールの一部領域の光起電素子401または402のみに基準光を照射した状態における光起電モジュールの電圧対電流特性をサブ・モジュール特性として測定するとともに、このサブ・モジュール特性の測定を、基準光の照射領域を移動させながら繰り返すことにより、全領域の光起電素子401および402について行い、得られた各領域の光起電素子のサブ・モジュール特性とバイパスダイオードの電圧対電流特性とに基づいて、モジュール特性を得る。

Claim (excerpt)：

少なくとも1つのバイパスダイオードを有する光起電素子を複数直列接続して構成した光起電モジュールの全光起電素子に所定の基準光を照射した状態における電圧対電流特性であるモジュール特性を測定する光起電モジュールの特性測定方法であって、前記光起電モジュールの一部領域の光起電素子のみに前記基準光を照射した状態における前記光起電モジュールの電圧対電流特性をサブ・モジュール特性として測定するとともに、このサブ・モジュール特性の測定を、前記基準光の照射領域を移動させながら繰り返すことにより、全領域の光起電素子について行い、得られた各領域の光起電素子のサブ・モジュール特性と前記バイパスダイオードの電圧対電流特性とに基づいて、前記モジュール特性を得ることを特徴とする光起電モジュールの特性測定方法。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/66

FI (2)：

H01L 31/04 K ,  H01L 21/66 X