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J-GLOBAL ID：200903091972391914
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
豊栖 康弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993045983
Publication number (International publication number)：1994237012
Application date： Feb. 10, 1993
Publication date： Aug. 23, 1994
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 順方向電圧を低くして発光部分を集中する。【構成】 基板の上に、n型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型ドーパントをドープして抵抗率を1000Ω・cm以下に調整したp型窒化ガリウム系化合物半導体層4Aとを有する。n型窒化ガリウム系化合物半導体層とp型ドーパントをドープしたp型窒化ガリウム系化合物半導体層とには、アニーリング処理して電気的に接続されたn型電極6およびp型電極5を形成している。電極に通電してp型電極の周縁近傍を他の部分よりも強く発光させる。
Claim (excerpt)：
基板の上に、少なくともn型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型ドーパントをドープして抵抗率を1000Ω・cm以下に調整したp型窒化ガリウム系化合物半導体層とを有し、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層と前記p型ドーパントをドープしたp型窒化ガリウム系化合物半導体層とには、それぞれ、アニーリング処理して電気的に接続されたn型電極およびp型電極が形成されており、n型電極とp型電極とに通電することにより、前記p型電極の周縁近傍を他の部分よりも強く発光させるように構成したことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2)：
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