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J-GLOBAL ID：200903091973474996

窒化ガリウム成長用基板及び窒化ガリウム成長用基板の製造方法並びに窒化ガリウム基板の製造方法

Inventor：
秋田 勝史

About 秋田 勝史

, 
岡久 拓司

About 岡久 拓司


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002127727
Publication number (International publication number)：2003324069
Application date： Apr. 30, 2002
Publication date： Nov. 14, 2003
Summary：
【要約】【課題】 ELOマスク法と欠陥種マスク法を併用して転位の少ないGaN結晶を成長させる。ELOマスクはGaN結晶が直接に成長せず横方向に成長し欠陥種マスクは欠陥が集中した閉鎖欠陥集合領域を成長させるようにすること。【解決手段】 ELOマスクにはSiN、SiON、SiO2の何れかの材料を用い、欠陥種マスクにはPt、Ti、Niの何れかの材料を用いる。サファイヤ、GaAs、スピネル、Si、InP、SiCなどの単結晶基板、あるいはそれらの単結晶基板にGaNバッファ層を被覆したものを基板として、ELOマスクと欠陥種マスクを相補的に設けてGaNを気相成長させる。
Claim (excerpt)：
サファイヤ、GaAs、InP、Si、SiC、スピネル、GaNの何れかの単結晶である基板又はそれらの単結晶基板にGaNバッファ層を形成した基板と、Ti、Pt、Niの何れかよりなり基板の上に規則正しく配列され窓を持たず被覆部分だけをもち閉鎖欠陥集合領域Hを発生させるための種となる欠陥種マスクXと、SiON、SiO2、SiNのいずれかよりなり被覆部分と小さい周期で規則正しく配列をした多数の窓を有し基板の上で欠陥種マスクと規則正しく相補的に設けられたELOマスクFとよりなることを特徴とする窒化ガリウム成長用基板。
IPC (2)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38
FI (2)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D
F-Term (27)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077EF02 ,  4G077HA02 ,  4G077TA04 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TK04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045DB04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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