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J-GLOBAL ID：200903091983029940

クーロン閉塞が可能な多重メモリ装置、該装置の製造方法及び該装置における読出/書込/消去方法

Inventor： ジャック・ゴーティエ ,  リオネル・パルン
Applicant, Patent owner： コミツサリア タ レネルジー アトミーク
Agent (1)： 志賀 正武 (外7名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000525933
Publication number (International publication number)：2001527297
Application date： Dec. 17, 1998
Publication date： Dec. 25, 2001
Summary：

【要約】【課題】 クーロン閉塞型の多重メモリ装置を提供することである。【解決手段】 フローティンググリッド(20)と制御グリッド(28)とを有するMOSFETトランジスタを備えたメモリ装置であって、前記フローティンググリッド(20)と制御グリッド(28)とが互いに離間した複数のナノスケールの導体アイランド(34)を備えた誘電体(32)によって離間されており、前記ナノスケールアイランド(34)が前記フローティンググリッド(20)と制御グリッド(28)との間の誘電体に均一に分布したアイランドの3次元構造(30)を形成していることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

フローティンググリッド(20)と制御グリッド(28)とを有するMOSFETトランジスタを備えたメモリ装置であって、 前記フローティンググリッド(20)と制御グリッド(28)とが、互いに離間した複数のナノスケールの導体アイランド(34)を備えた誘電体(32)によって離間されており、前記ナノスケールアイランド(34)が前記フローティンググリッド(20)と制御グリッド(28)との間の誘電体内に均一に分布したアイランドの3次元構造(30)を形成していることを特徴とするメモリ装置。

IPC (5)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/06

FI (3)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/78 371

F-Term (18)：

5F001AA01 ,  5F001AA06 ,  5F001AA19 ,  5F001AA63 ,  5F001AB08 ,  5F001AE02 ,  5F001AE03 ,  5F001AE08 ,  5F001AF20 ,  5F083EP02 ,  5F083EP17 ,  5F083EP23 ,  5F083EP53 ,  5F083EP56 ,  5F083EP57 ,  5F083JA01 ,  5F083JA31 ,  5F083ZA21