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J-GLOBAL ID：200903092002781996
圧力勾配型ホローカソード型イオンプレーティング装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
金山 聡 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998310833
Publication number (International publication number)：2000144390
Application date： Oct. 30, 1998
Publication date： May. 26, 2000
Summary：
【要約】【課題】 圧力勾配型のホローカソード型イオンプレーテイング装置で、チャンバーの一部の側壁側スペースでの異常放電の問題、多源ホローカソード型イオンプレーテイング装置における各プラズマガンから発生されるプラズマビームの互いの干渉による悪影響の問題を解決できる装置を提供する。更には、成膜の制御がし易く、且つ、蒸発粒子の効率利用ができる装置を提供する。【解決手段】 圧力勾配型のホローカソード型イオンプレーティング装置であって、チャンバー部は、プラズマビームの自己磁場による、進行方向に対してのねじれを考慮して、設計されている。
Claim (excerpt)：
圧力勾配型ホローカソード型イオンプレーティング装置であって、チャンバー部は、プラズマビームの自己磁場による、進行方向に対してのねじれを考慮して設計されたもので、チャンバーのプラズマビームのビームがねじれて行く方向側の、チャンバーの側壁と、ねじれを考慮しない場合の該側壁側のプラズマビーム位置とのスペースを、チャンバーのプラズマビームのビームがねじれて行く方向とは反対側の、チャンバーの側壁と、ねじれを考慮しない場合の該側壁側のプラズマビーム位置とのスペースに比べ、大きくしたことを特徴とする圧力勾配型ホローカソード型イオンプレーテイング装置。
F-Term (2)：
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