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J-GLOBAL ID：200903092026532253
樹脂封止型半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995055463
Publication number (International publication number)：1996250531
Application date： Mar. 15, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：
【要約】【目的】放熱用部材を備える樹脂封止型LSIを、低コストで製造する。又、樹脂封止工程でのアイランドシフトによるショート不良発生を抑制する。【構成】成形用下金型8Aのキャビティ底部に、ヒートシンク5Aを入れ込む逃げ溝12を設け、樹脂圧入前にヒートシンク5Aを逃げ溝12にセットする。逃げ溝12周辺に水平に張り出す鍔状部分が、注入樹脂の圧力により逃げ溝12周辺部に押し付けられて樹脂の漏出を防ぐので、逃げ溝12のクリアランスは高精度でなくて良い。外装樹脂層3成形と同時にヒートシン5Aが止着されるので、ヒートシンク5A取り付けのための特別な工程が不要である。ヒートシンク5Aとアイランド4とが直接接触する構造とすると、樹脂の圧力でアイランド4がヒートシンク5Aに圧迫されるので、アイランドシフトが起らず、又、熱抵抗が更に小さくなる。
Claim (excerpt)：
ヒートシンクや熱伝導板などのような金属製放熱用部材を備える樹脂封止型半導体装置を製造する方法であって、成形金型のキャビティ内に溶融樹脂を圧入して外装樹脂層を成形する樹脂封止工程を含む樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記樹脂封止工程で、予め前記放熱用部材を成形用下金型のキャビティ底部に配設したのち前記溶融樹脂を圧入することにより、前記外装樹脂層を成形すると同時に、成形後の前記外装樹脂層の接着力を用いて前記放熱用部材を前記外装樹脂層に止着することを特徴とする樹脂半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/56 T
, H01L 23/36 A
