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J-GLOBAL ID:200903092033328815
シリコン構造体の製造方法とシリコン構造体およびシリコン構造体を備えた加速度センサ
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
五十嵐 孝雄 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996075151
Publication number (International publication number):1997246569
Application date: Mar. 04, 1996
Publication date: Sep. 19, 1997
Summary:
【要約】【課題】 シリコン構造体を形成する多結晶シリコン膜で生じる曲げモーメントを制御し、シリコン構造体を所望の形状に形成する。【解決手段】 多結晶シリコン膜よりなる梁構造を形成する際、結晶構造を有しない状態で成膜されるアモルファスシリコン層と多結晶構造を有する状態で成膜される高温ポリシリコン層とを重層して多結晶シリコン膜を形成する。アモルファスシリコン層は結晶化すると残留応力として引っ張り応力が生じ、高温ポリシリコン層は残留応力として圧縮応力が生じる。そのため、アモルファスシリコン層の膜厚t1 と高温ポリシリコン層の膜厚t2 との比によって、多結晶膜全体に働く曲げモーメントMを制御することができる。曲げモーメントMが0となるように上記膜厚比を定めれば、反りの無い梁構造が得られる。
Claim (excerpt):
基板上に多結晶シリコン膜を成膜する多結晶膜成膜工程と、前記多結晶シリコン膜を所望の形状に成形する多結晶膜形状成形工程とを備えたシリコン構造体の製造方法において、前記多結晶膜成膜工程は、第1のシリコン層を、アモルファスシリコンの状態で成膜する第1シリコン層成膜工程と、前記第1のシリコン層上に、多結晶構造を有する状態で第2のシリコン層を成膜する第2シリコン層成膜工程とを備えたシリコン構造体の製造方法。
IPC (3):
H01L 29/84
, G01P 15/125
, H01L 21/205
FI (3):
H01L 29/84 A
, G01P 15/125
, H01L 21/205
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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半導体力学量センサ装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-320622
Applicant:日本電装株式会社
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特開昭59-163834
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半導体容量形加速度センサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-185828
Applicant:富士電機株式会社
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