窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997033178
Publication number (International publication number)：1998215000
Application date： Jan. 30, 1997
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】ハライド気相成長法によりサファイア基板上に良質な窒化ガリウム系化合物半導体層を形成すること。【解決手段】サファイア基板1 を洗浄し乾燥させ, ハライド気相成長装置10の石英管11内に設けられたサセプタ14上に載置する。次に基板温度を600 °Cにし, N2源としてのNH3 を400 〜800cc/分, Ga源としてのGaClを生成するためのHCl を5〜20cc/ 分, キャリアガスとしてのN2を2liter/ 分供給する。これにより,HClとGa溜12上に載置されたGaの反応生成物としてGaClが得られ, 30分間の供給により基板1上にGaN から成るアモルファス状又はアモルファスと微結晶とが混在した結晶構造を有したバッファ層が膜厚約0.2 μmに成長する。続いて基板温度を1100°Cにし, バッファ層の形成時と同様の条件で上記各ガスを30分間供給することでGaN 層が平坦で均一に且つ良好な結晶性を有して膜厚約2 μm 成長する。

Claim (excerpt)：

サファイア基板上に、ハロゲン化物と窒素の水素化物を含むガスを用いる気相成長法により窒化ガリウム系化合物半導体を気相成長する方法であって、前記基板の温度を800°C未満で前記基板上に窒化ガリウム系化合物(AlyGa1-x-yInxN(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)) から成る非晶質構造の第1の半導体層を成長させ、前記基板の温度を800〜1200°Cで前記第1の半導体層上に窒化ガリウム系化合物(AlyGa1-x-yInxN(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)) から成る単結晶構造の第2の半導体層を成長させることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01L 27/12

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01L 27/12 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

窒化物系III-V族化合物半導体結晶の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-320804 Applicant：日本電気株式会社
化合物半導体単結晶の製造方法、該化合物半導体の単結晶および単結晶基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-063238 Applicant：三菱電線工業株式会社
特開平2-081484

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