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J-GLOBAL ID：200903092055000279
半導体圧力センサおよびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993216940
Publication number (International publication number)：1995058347
Application date： Aug. 10, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：
【要約】【目的】 大レンジと小レンジ用のダイヤフラムを備えた半導体圧力センサにおいて、大レンジのダイヤフラム径を大きくして大レンジ用ダイヤフラムとゲージとを高い精度で位置合わせできるようにする。【構成】 第1の半導体基板2上に第2の半導体基板20をフュージョンボンディングする。第1の半導体基板2は、n型層24とp型層25を有し、深さの異なる2つの凹陥部4,5が離間して形成されている。第2の半導体基板20はn型シリコンで形成されている。一方の凹陥部4は、第1の半導体基板2のn,p型層24,25にわたって形成されることにより、第2の半導体基板20が小レンジ用ダイヤフラム21を形成している。他方の凹陥部5は、第1の半導体基板2のp型層25に形成されることにより、第1の半導体基板2のn型層24と第2の半導体基板20とで2層のn型シリコンからなる大レンジ用ダイヤフラム22を形成している。
Claim (excerpt)：
単結晶からなる半導体基板を備え、この半導体基板に凹陥部の形成により厚さの異なる2つの薄肉部を離間して形成し、これら薄肉部の一方の面にピエゾ抵抗領域として作用するゲージをそれぞれ形成した半導体圧力センサにおいて、前記2つの薄肉部のうち一方の薄肉部を1層のn型シリコンで形成し、他方の薄肉部をフュージョンボンド面を有する2層のn型シリコンにより形成したことを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (2)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
