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J-GLOBAL ID：200903092069583757

半導体レーザおよびその製造方法

Inventor： 小林 隆二 ,  堀田 等
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 尾身 祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995149738
Publication number (International publication number)：1996321656
Application date： May. 25, 1995
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：

【要約】【目的】 AlGaInP系赤色半導体レーザにおいて、AlInP埋め込み層をMOVPE法で成長させる際にHClを用いなくても済むようにする。【構成】 GaInP(井戸)とAlGaInP(障壁)からなるMQW活性層105をAlGaInP光ガイド層104、106で挟み、その両側にAlGaInPクラッド層103、107を配置し、p側のクラッド層107をメサ状に加工し、メサ部側面を活性層よりバンドギャップが大きくかつクラッド層より低屈折率の材料(AlInP)にて埋め込んだ半導体レーザにおいて、AlInP電流ブロック層110の膜厚を0.5μm以下にする。

Claim (excerpt)：

活性層を第1導電型クラッド層とメサ形状を有する第2導電型クラッド層で挟んだダブルヘテロ構造を有し、前記メサ側部を活性層よりバンドギャップが大きくかつクラッドより低屈折率のAlを含んだIII-V族化合物半導体で埋め込んだ半導体レーザにおいて、前記埋め込み層の厚さが0.5μm以下であることを特徴とする半導体レーザ。