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J-GLOBAL ID：200903092069963363

半導体装置

Inventor： 岩松 誠一
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991224168
Publication number (International publication number)：1993063187
Application date： Sep. 04, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の界面準位密度を小さくする。【構成】 半導体装置に関し、電界効果トランジスタの少なくともゲート領域をダイアモンド膜で形成する。

Claim (excerpt)：

電界効果トランジスタの少なくともゲート領域がダイアモンド膜で形成されて成ることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (3)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/80 F