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J-GLOBAL ID：200903092070573145

無機材料内部の選択的改質方法及び内部が選択的に改質された無機材料

Inventor： 三浦 清貴 ,  邱 建栄 ,  近藤 裕己 ,  平尾 一之
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団 ,  三浦 清貴 ,  邱 建栄 ,  近藤 裕己
Agent (1)： 小倉 亘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998004416
Publication number (International publication number)：1999197498
Application date： Jan. 13, 1998
Publication date： Jul. 27, 1999
Summary：

【要約】【目的】 パルスレーザ光の集光照射により内部が選択的に改質された無機材料を得る。【構成】 希土類イオン及び/又は遷移金属イオンを含む無機材料3の内部に集光点2を調節したパルスレーザ光1で無機材料3を集光照射する。無機材料には、酸化物,ハロゲン化物,カルコゲナイドの1種又は2種以上を含むガラス又は結晶が使用される。希土類イオンには、Ce,Nd,Pr,Sm,Eu,Tb,Dy,Tm,Tb等のイオンがある。遷移金属イオンには、Ti,Mn,Cr,V,Fe,Cu,Mo,Ru等のイオンがある。集光点2を無機材料3に対して相対移動させるとき、所定パターンのイオン価数変化領域が無機材料3の内部に形成される。パルスレーザ光としては、パルス幅1ピコ秒以下のパルスレーザ光が好ましい。【効果】 集光点2及び集光点近傍では希土類イオン及び/又は遷移金属イオンの価数を変化するが、それ以外の箇所では価数変化が生じないため、必要パターンの改質領域が無機材料3の内部に形成される。

Claim (excerpt)：

希土類イオン及び/又は遷移金属イオンを含む無機材料の内部に集光点を調節したパルスレーザ光で無機材料を集光照射し、集光点及び集光点近傍のみ希土類イオン及び/又は遷移金属イオンの価数を変化させることを特徴とする無機材料内部の選択的改質方法。

IPC (2)：

B01J 19/12 ,  C03C 3/32

FI (2)：

B01J 19/12 B ,  C03C 3/32

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 光学材料の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-117893   Applicant：日本電信電話株式会社
• 溶存物質の酸化又は還元方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-005611   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開昭63-171641