Pat

J-GLOBAL ID：200903092072704484

組み合わされたイオンビームおよびマイクロ波照射手段および方法

Inventor： デニス・グリオット ,  アンリ・クロード・ガイ ,  イレーヌ・パジェ ,  ピエール・ジベール ,  ジャック・リン・クヮン
Applicant, Patent owner： モトローラ・セミコンダクトゥール・ソシエテアノニム
Agent (1)： 池内 義明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997114254
Publication number (International publication number)：1998055775
Application date： Apr. 16, 1997
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 簡単かつ低価格の構成でイオン注入による結晶損傷を的確にアニールできるようにする。【解決手段】 基板14内にイオン18を注入しかつ注入損傷をマイクロ波26の照射によってアニールする装置10が開示される。好ましい実施形態のプロセスでは、マイクロ波26は基板14を注入が開始される前に所定の温度Tpに加熱しかつ注入の間オンとされる。所望の注入ドーズ量に到達したとき、イオンビームおよびマイクロ波放射はほぼ同時にオフとされかつ基板14はチェンバ12の冷たい壁部への放射により急速に冷却され、それによって大きな横方向ドーパント再分布を防止する。基板保持チェンバ12およびそのイオンビームポート19およびマイクロ波ポート24はマイクロ波26の基板14への結合を可能にしかつマイクロ波26のイオン注入装置16への結合を避けるよう設計される。

Claim (excerpt)：

基板にイオンを注入するための装置であって、第1の結合領域を通り第1の方向で前記基板に向けられる周波数fのマイクロ波源、そしてマイクロ波の伝搬のためにカットオフ周波数f<SB>co</SB>を有する第2の結合領域を通って第2の方向で前記基板に向けられるエネルギイオン源であって、f<SB>co</SB><fであるもの、を具備することを特徴とする基板にイオンを注入するための装置。

IPC (3)：

H01J 37/317 ,  C23C 14/48 ,  H01L 21/265

FI (4)：

H01J 37/317 Z ,  C23C 14/48 Z ,  H01L 21/265 602 Z ,  H01L 21/265 603 C