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J-GLOBAL ID：200903092095812594

半導体装置の信頼性評価方法及び半導体装置の信頼性評価プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Inventor： 黒川 敦 ,  小松 富士彦
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998075728
Publication number (International publication number)：1999274023
Application date： Mar. 24, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】 評価精度を落とすことなく、大規模LSIのホットキャリアによるデバイス劣化寿命の信頼性評価の高速化を可能とする。【解決手段】 半導体装置における入力スルーと負荷容量の2変数からなる基板電流に関するデータを抽出してライブラリ化した基板電流ライブラリ15と、回路接続情報18、遅延ライブラリ17及びイベントファイル16を用いてホットキャリアによる半導体素子寿命を評価するものである。

Claim (excerpt)：

半導体装置における入力スルーと負荷容量の2変数からなる基板電流に関するデータを抽出してライブラリ化し、このライブラリ化した基板電流ライブラリと、回路接続情報ライブラリ、遅延ライブラリ及びイベント情報ライブラリを用いてホットキャリアによる半導体素子寿命を評価することを特徴とする半導体装置の信頼性評価方法。

IPC (3)：

H01L 21/02 ,  G06F 17/50 ,  H01L 21/66

FI (3)：

H01L 21/02 Z ,  H01L 21/66 M ,  G06F 15/60 666 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置の設計支援装置および設計支援方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-147624   Applicant：三菱電機株式会社