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J-GLOBAL ID：200903092105524240

絶縁膜を形成する方法および装置

Inventor： 石川 道夫 ,  清水 昭 ,  伊東 一幸
Applicant, Patent owner： 株式会社ジーテイシー
Agent (1)： 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991274819
Publication number (International publication number)：1993090247
Application date： Sep. 26, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高エネルギイオンによるダメージを少なくし良質の絶縁膜を得ることのできるECRプラズマを利用した絶縁膜形成方法および装置を提供する。【構成】ECRプラズマCVD法により被処理体上に絶縁膜を成膜する際、被処理体の温度を450°C〜650°Cに維持する。

Claim (excerpt)：

被処理体を処理室内に配置する工程と、処理室内を排気する工程と、処理室内に反応ガスを、この処理室に連通するECRプラズマ室内に励起用ガスを所定圧力になるよう導入する工程と、所定周波数のマイクロ波を前記ECRプラズマ室に導入することにより高密度ECRプラズマを生じさせ、これを処理室内の被処理体近傍に導くとともに、前記被処理体の温度を450°C〜650°Cに維持することによって、この被処理体上に成膜する工程とからなることを特徴とする被処理体上に絶縁膜を形成する方法。

IPC (4)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 29/784