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J-GLOBAL ID：200903092111514329

熱CVD法によるグラファイトナノファイバー薄膜形成方法

Inventor： 平川 正明 ,  村上 裕彦
Applicant, Patent owner： 株式会社アルバック
Agent (1)： 北村 欣一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000307962
Publication number (International publication number)：2002115071
Application date： Oct. 06, 2000
Publication date： Apr. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】 炭素系電子放出源となり得るグラファイトナノファイバー薄膜を形成する際に、下地層の触媒金属薄膜の密着性を向上せしめること。【解決手段】 ガラス基板又はSi基板上にFe、Co又はこれらの金属の少なくとも1種を含んだ合金の触媒金属薄膜を10〜50nmの厚さで所定のパターンに形成せしめた基板、又は、この触媒金属薄膜の下に非触媒金属の薄膜を所定のパターンに形成せしめた被処理基板を真空下熱処理した後、炭素含有ガス及び水素ガスを該基板の載置された位置よりも下方の位置から真空チャンバー内へ導入し、該チャンバー内圧力をほぼ1気圧に維持して、該基板上のパターン部分のみに熱CVD法によりグラファイトナノファイバーを成長せしめる。

Claim (excerpt)：

ガラス基板又はSi基板上に、下地層として、Fe、Co又はこれらの金属の少なくとも1種を含んだ合金の触媒金属薄膜を10〜50nmの厚さで所定のパターンに形成せしめた基板を被処理基板とし、該被処理基板を真空下熱処理した後、熱CVD法により、炭素含有ガス及び水素ガスを用いて、該被処理基板上のパターン部分のみにグラファイトナノファイバーを均一に成長せしめ、グラファイトナノファイバー薄膜を得ることを特徴とするグラファイトナノファイバー薄膜形成方法。

IPC (6)：

C23C 16/46 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 16/26 ,  D01F 9/133 ,  H01J 9/02

FI (6)：

C23C 16/46 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/02 101 F ,  C23C 16/26 ,  D01F 9/133 ,  H01J 9/02 B

F-Term (29)：

4G046CA01 ,  4G046CA02 ,  4G046CB08 ,  4G046CC06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030BA27 ,  4K030BB12 ,  4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030CA17 ,  4K030DA02 ,  4K030DA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA24 ,  4L037CS04 ,  4L037FA03 ,  4L037FA05 ,  4L037FA20 ,  4L037PA03 ,  4L037PA06 ,  4L037PA17 ,  4L037PA18 ,  4L037PA28 ,  4L037UA02