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J-GLOBAL ID：200903092114643650

面発光型半導体レーザ光源

Inventor： 山本 英二 ,  駒崎 岩男
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996061507
Publication number (International publication number)：1997260764
Application date： Mar. 18, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】レーザビームの放射角を連続的に可変できない。【解決手段】半導体基板(1) 上に、少なくとも、下部ミラー層(2) 、下部半導体クラッド層(3) 、化合物半導体よりなる活性層(4) 、上部半導体クラッド層(5)、上部ミラー層(6) を順に積層した構造を有する面発光型半導体レーザ光源において、前記下部ミラー層(2) または前記下部半導体クラッド層(3) 、前記活性層(4) 、前記上部半導体クラッド層(5) 、前記上部ミラー層(6) の一部または全部を基板面に垂直な軸を有する柱状に形成した第1導電型の柱状部と、この柱状部を取り巻くように形成された第2導電型の埋め込み層(7) と、この埋め込み層(7) と前記柱状部の間に電圧を印加する電圧印加装置(14)とを具備することを特徴とする面発光型半導体レーザ光源。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、少なくとも、下部ミラー層、下部半導体クラッド層、化合物半導体よりなる活性層、上部半導体クラッド層、上部ミラー層を順に積層した構造を有する面発光型半導体レーザ光源において、前記下部ミラー層または前記下部半導体クラッド層、前記活性層、前記上部半導体クラッド層、前記上部ミラー層の一部または全部を基板面に垂直な軸を有する柱状に形成した第1導電型の柱状部と、この柱状部を取り巻くように形成された第2導電型の埋め込み層と、この埋め込み層と前記柱状部の間に電圧を印加する電圧印加手段とを具備することを特徴とする面発光型半導体レーザ光源。