パターン形成方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：作田康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001167618
Publication number (International publication number)：2001358073
Application date： Feb. 27, 1991
Publication date： Dec. 26, 2001
Summary：

【要約】【目的】従来のプロキシミティ露光方法の解像限界以下の微小パターンを解像するためのプロキシミティ露光方法およびそれに用いるホトマスクの設計製造方法を与える。【構成】ホトマスクからある微小間隔を設けておかれた基板上で所望の光強度分布が得られるような、ホトマスク透過光の振幅と位相の分布を計算する。ホトマスク上に微小遮光パターンや位相シフタを形成して、計算した分布を実現するように構成する。【効果】従来のプロキシミティ露光機を用いて高解像度のパターン転写が可能になる。

Claim (excerpt)：

露光光をホトマスクに照射して基板の表面に塗布したレジストにパターンを転写することにより前記基板上にパターンを形成する方法であって、透過した露光光に対して所望の位相分布と振幅透過率分布とを与えるホトマスクに前記露光光を照射し、該ホトマスクを透過した露光光により前記基板の表面に塗布したレジストを露光することにより、前記基板の段差のある表面に塗布したレジストに1回の露光でパターンを転写することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/20 521

FI (5)：

G03F 1/08 A , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 528 , H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 509

F-Term (1)：

2H095BB03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平1-243525
特開平2-122516
特開平2-292812

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