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J-GLOBAL ID：200903092120473970

選択シリコンエピタキシャル膜の成長方法

Inventor： 鈴木 達也
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995214738
Publication number (International publication number)：1997063964
Application date： Aug. 23, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】 ジシラン等のシラン系原料ガスを用いた選択シリコンエピタキシャル成長において、原料ガスに原子状水素を混ぜることにより、エピタキシャル膜と絶縁膜の接触部におけるファセット形成を抑制する。【解決手段】 基板温度が高くかつ原料ガス流量が少ない選択シリコンエピタキシャル成長条件においては、選択成長可能な膜厚をより厚くすることができるが、この成長条件においては、シリコン結晶の表面自由エネルギー異方性により側壁部にファセットが形成される。そこで、原料ガスに原子状水素を混ぜ、表面自由エネルギーの値を大幅に減少させる。これによって、表面自由エネルギー異方性を解消し、ファセットの無い選択シリコンエピタキシャル膜を形成する。

Claim (excerpt)：

シラン系ガスを原料ガスとしてシリコン基板上に選択シリコンエピタキシャル膜を成長する際に用いられ、前記成長の際、前記原料ガスとともに原子状水素を導入するようにしたことを特徴する選択シリコンエピタキシャル膜の成長方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/76 ,  H01L 29/78

FI (4)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/76 E ,  H01L 29/78 301 S