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J-GLOBAL ID：200903092130502226

プラズマCVD装置

Inventor： 師岡 久雄 ,  山田 寛
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000026468
Publication number (International publication number)：2001220678
Application date： Feb. 03, 2000
Publication date： Aug. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】 プラズマCVD装置の稼働率を向上させる。【解決手段】 陰極に高周波電力または直流電力を印加することにより、陰極に対向して配置した基板との間にプラズマを発生させ、このプラズマを利用して、基板上への薄膜の堆積を行うプラズマCVD装置であって、陰極表面の近傍において、プラズマに曝されたときにそれ単体では膜を形成しないガスを相対的に高濃度で存在させることにより、前記近傍における反応ガス濃度を相対的に低くするプラズマCVD装置。

Claim (excerpt)：

陰極に高周波電力または直流電力を印加することにより、陰極に対向して配置した基板との間にプラズマを発生させ、このプラズマを利用して、基板上への薄膜の堆積を行うプラズマCVD装置であって、陰極表面の近傍において、プラズマに曝されたときにそれ単体では膜を形成しないガスを相対的に高濃度で存在させることにより、前記近傍における反応ガス濃度を相対的に低くするプラズマCVD装置。

IPC (3)：

C23C 16/503 ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/205

FI (3)：

C23C 16/503 ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/205

F-Term (30)：

4K030AA06 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030BA30 ,  4K030BA37 ,  4K030BA38 ,  4K030BA43 ,  4K030BA44 ,  4K030EA06 ,  4K030FA03 ,  4K030JA06 ,  4K030KA17 ,  4K030KA25 ,  4K030KA46 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AE25 ,  5F045BB08 ,  5F045BB10 ,  5F045DP04 ,  5F045DP22 ,  5F045EE14 ,  5F045EE20 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH08 ,  5F045EH14 ,  5F045EK08