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J-GLOBAL ID：200903092134004735

ガス処理装置

Inventor： 市川 久 ,  藤田 昌洋 ,  呂畑 勉 ,  大川 章 ,  渡辺 智司
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立電子エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 梶原 辰也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992352053
Publication number (International publication number)：1994177056
Application date： Dec. 09, 1992
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ウエハ上の処理状態が均一になるように加熱をヒータの制御する。【構成】 処理室2と、ガス供給路14と、ウエハ1を保持するサセプタ7と、サセプタを介してウエハを加熱するヒータ22と、ヒータを制御するコントローラ23とを備えたプラズマCVD装置において、処理室2の外部にウエハ1上に形成された処理膜26の膜厚を測定する膜厚測定装置25が設備され、この測定装置25がコントローラ23に接続されている。ヒータ22はサセプタ7の中央部7aを加熱する内側ヒータ22aと、その周辺部7bを加熱する外側ヒータ22bとに分割されている。コントローラ23は膜厚測定装置25からの測定データに対応して内外のヒータ22a、22bの加熱出力をそれぞれ制御する。【効果】 膜厚データに対応してサセプタ7の内外が内外のヒータ22a、22bによって加熱されるため、温度分布に依存する膜厚分布は均一になる。

Claim (excerpt)：

被処理物が出し入れされる出し入れ口を有する処理室と、処理室に接続されて処理ガスが供給されるガス供給路と、処理室内に設備されて被処理物を保持するサセプタと、サセプタの被処理物と反対側に設備されて被処理物を加熱するヒータと、ヒータを制御するコントローラとを備えているガス処理装置において、前記処理室の外部に処理室で処理された被処理物についての処理状態を測定する処理状態測定装置が設けられているとともに、この処理状態測定装置はその測定データを前記コントローラに送信するように構成されており、また、前記ヒータが前記サセプタの各別のゾーンを加熱する複数の分割ヒータによって構成されており、さらに、前記コントローラは前記処理状態測定装置から送られて来た測定データに対応して分割ヒータを各別に制御するように構成されていることを特徴とするガス処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/10 ,  C30B 25/16 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平3-082017
  
• 特開平3-267372
  
• 特開平4-239120
  
• 特開昭63-216283
  
• 特開平3-108323