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J-GLOBAL ID：200903092138221200

多層誘電体基板及びその製造方法

Inventor： 落合 達四郎 ,  古林 真 ,  川村 敬三 ,  三浦 太郎
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 山本 恵一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992023378
Publication number (International publication number)：1993191120
Application date： Jan. 14, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 誘電体と内導体を同時焼成して構成するトリプレート共振器のQ値を向上することを目的とする。【構成】 内導体(14)は鱗片状銀をふくむペーストで構成し、内導体(14)を誘電体(10, 16)の間にはさんだスタックを焼成した後、銀の融点以下で誘電体の軟化点以上の温度で、熱間静水圧プレスにより全体をおしつぶして、各鱗片状銀を相互に接触させると共に、内導体と誘電体の間の空隙を消滅させる。

Claim (excerpt)：

誘電体の間に内導体をはさんだ構造の多層誘電体基板において、誘電体と内導体とは同時焼成が可能な材料で構成され、前記内導体は鱗片状銀が相互に直接接触して構成されることを特徴とする多層誘電体基板。

IPC (2)：

H01P 11/00 ,  H01P 7/08