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J-GLOBAL ID：200903092141125904

受発光装置の製造方法

Inventor： 三谷 克彦 ,  伊藤 和弘 ,  河野 敏弘
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993249076
Publication number (International publication number)：1995106702
Application date： Oct. 05, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【構成】Si基板100上に側面の傾斜角が45度前後である凹部領域を形成し、その底面の一部に開孔部を有する絶縁膜マスクを形成し、開孔部から露出したSi基板100表面にバッファ層106,二重へテロ構造(DH)レーザ用の結晶構造となるn型GaAs層107,n型AlGaAs層108,アンドープGaAs層109,p型AlGaAs層110、及びp型GaAs111層を順次積層し、pn接合領域が凹部103領域の一辺に対して垂直なストライプ形状となるようにメサエッチングを行い、n型GaAs層107を露出させる。【効果】レーザ作製において基板研磨及び劈開工程が不要となり、煩雑な実装技術を用いることなくSi基板100上に半導体レーザを作製できるので歩留まり及び量産性が著しく向上する。

Claim (excerpt)：

第一の半導体基板表面に少なくとも一辺における側面の第一の半導体基板主面に対する傾斜角が45度前後である凹部領域を形成する工程,凹部領域の底面の一部に開孔部を有する絶縁膜マスクを形成する工程,前記開孔部より露出した前記凹部領域底面の一部に選択的に化合物半導体層を積層してpn接合を含む結晶構造を形成する工程,前記凹部領域の側面の傾斜角が45度前後である一辺に対して垂直方向に前記pn接合をストライプ状にパターニングする工程を含むことを特徴とする受発光装置の製造方法。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 27/15 ,  H01L 33/00