半導体装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004366370
Publication number (International publication number)：2006173476
Application date： Dec. 17, 2004
Publication date： Jun. 29, 2006
Summary：

【課題】チッピング防止溝やヒューズの開口部が形成されていても、再配線を形成する際に必要となるシード層を信頼性よく形成できる技術を提供する。【解決手段】ボンディングパッド3およびヒューズ4を形成した後、ボンディングパッド3およびヒューズ4上を含む層間絶縁膜2上に順次酸化シリコン膜5、窒化シリコン膜6、感光性ポリイミド樹脂膜7を形成する。そして、ヒューズ4上に溝9を形成するとともにボンディングパッド3上に開口部を形成する。さらに、チッピング防止溝10も形成する。続いて、溝9およびチッピング防止溝10を埋め込むように感光性ポリイミド樹脂膜11を形成する。そして、感光性ポリイミド樹脂膜11にボンディングパッド3に達する開口部を形成した後、ボンディングパッド3上を含む感光性ポリイミド樹脂膜11上にシード層13を形成する。【選択図】図8

Claim (excerpt)：

(a)半導体チップの主面上に形成された半導体素子と、 (b)前記半導体チップの主面上に形成されたヒューズと、 (c)前記半導体素子よりも上層に形成された一層以上の第1配線と、 (d)前記第1配線のうち、最上層の配線と同層の配線によって形成された内部接続端子と、 (e)前記第1配線および前記ヒューズを覆うように形成され、前記内部接続端子を選択的に露出する第1パッシベーション膜と、 (f)前記第1パッシベーション膜上に形成され、前記内部接続端子を選択的に露出する第2パッシベーション膜と、 (g)前記ヒューズの真上にある前記第2パッシベーション膜を選択的に除去して形成された溝と、 (h)前記溝を埋め込むように前記第2パッシベーション膜上に形成され、かつ前記内部接続端子を選択的に露出する第3パッシベーション膜と、 (i)前記第3パッシベーション膜上に形成され、一端が前記内部接続端子に電気的に接続された第2配線と、 (j)前記第2配線を覆うように形成され、前記第2配線の他端部を選択的に露出する第4パッシベーション膜と、 (k)前記第2配線の他端部上に形成された外部接続端子とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 23/12 , H01L 21/82 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 23/52 , H01L 21/320

FI (6)：

H01L23/12 501P , H01L21/82 F , H01L21/82 P , H01L27/04 E , H01L27/04 V , H01L21/88 T

F-Term (52)：

5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH17 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ17 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ19 , 5F033QQ37 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR22 , 5F033RR27 , 5F033SS21 , 5F033VV07 , 5F033VV11 , 5F033XX02 , 5F033XX31 , 5F038AV03 , 5F038AV06 , 5F038AV15 , 5F038BE07 , 5F038BH09 , 5F038CA10 , 5F038CD18 , 5F038DT04 , 5F038DT18 , 5F038EZ14 , 5F038EZ15 , 5F038EZ19 , 5F038EZ20 , 5F064CC09 , 5F064DD42 , 5F064DD46 , 5F064DD48 , 5F064EE23 , 5F064EE32 , 5F064EE33 , 5F064EE34 , 5F064EE56 , 5F064FF05 , 5F064FF12 , 5F064FF27 , 5F064FF32 , 5F064FF33 , 5F064FF42

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-284785 Applicant：株式会社リコー
パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-011473 Applicant：沖電気工業株式会社

Cited by examiner (3)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-284785 Applicant：株式会社リコー
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-018264 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体装置および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-352757 Applicant：ソニー株式会社

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