半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997145338
Publication number (International publication number)：1998056009
Application date： Jun. 03, 1997
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】多層配線構造において高集積化の際の層間膜容量増加防止とビアホール抵抗の増加防止【解決手段】本発明の半導体装置及び半導体装置の製造方法は第1の金属配線101が形成された半導体基板表面に第1の高フッ素濃度のフッ素含有プラズマ酸化膜102を形成する工程と、続いて第2の低フッ素濃度の耐湿性のないフッ素含有プラズマ酸化膜103を形成する工程と、化学的機械研磨を第2のフッ素含有プラズマ酸化膜のみに施す工程と、その開孔部に金属104を形成する工程と、第2の金属配線105を形成する工程を含みこれを1回または繰り返すことを特徴とすることにより、高集積化でも層間膜容量が増加防止およびビアホール抵抗の増加防止ができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された複数の配線と、前記複数の配線の間を埋める第1のフッ素を含むシリコン酸化膜と前記第1のフッ素を含むシリコン酸化膜上に形成され表面が平坦化された、第2の吸湿性のないフッ素を含むシリコン酸化膜を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/316 , H01L 21/768 , H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/316 M , H01L 21/90 M , H01L 21/95

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-327201 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置の多層配線層間絶縁膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-304196 Applicant：日本電気株式会社

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