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J-GLOBAL ID：200903092143141150

薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 小沢 清 ,  間島 庭司
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991237633
Publication number (International publication number)：1993114610
Application date： Sep. 18, 1991
Publication date： May. 07, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、薄膜トランジスタ及びその製造方法に関し、構造及び製造工程に簡単な改変を加えることで、活性層を薄くしても、アモルファス・シリコン中に於けるHやLiの脱離が生じないように、また、素子特性の再現性や経時安定性が低下しないようにすることを目的とする。【構成】 ゲート電極2が形成された基板1上にゲート絶縁膜3及び活性層4及び保護膜5を順に形成し、活性層4に生成されるチャネル領域4Aに対応する保護膜5上にレジスト膜を形成し、不純物イオンを注入して活性層4にソース領域7及びドレイン領域8を形成し、レジスト膜を除去し且つ保護膜5を残した状態で不純物の活性化並びに結晶性回復の為の熱処理を行い、チャネル領域4Aとソース領域7及びドレイン領域8の一部を覆う保護膜5を残してからゲート電極と重ならない金属のソース電極9及びドレイン電極10を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたゲート電極及びそのゲート電極を覆って形成されたゲート絶縁膜及びそのゲート絶縁膜上に形成された真性アモルファス・シリコンからなる活性層と、前記真性アモルファス・シリコンからなる活性層に於ける前記ゲート電極上方の部分に生成されたチャネル領域を介し同活性層内に相対向して形成されたソース領域及びドレイン領域と、前記チャネル領域上を覆い且つ前記ソース領域及び前記ドレイン領域の一部にまで張り出した部分をもつ絶縁物質からなる保護膜と、前記ソース領域にコンタクトし且つ前記ゲート電極との重なりがないソース電極及び前記ドレイン領域にコンタクトし且つ前記ゲート電極との重なりがないドレイン電極とを備えてなることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 27/12