ダウンコンバーション素子を備えた半導体放射線検出器

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：平木祐輔 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000567971
Publication number (International publication number)：2002523786
Application date： Aug. 27, 1999
Publication date： Jul. 30, 2002
Summary：

【要約】任意のコリメータ(402)付近に光学的に配置された結晶のアレイ(410)を備え、入射γ放射によって照射されると結晶が可視光を放射する、γ線用の放射検出装置(407)を開示している。光検出器のアレイ(430)は、コリメータ(402)と対向する結晶アレイ(410)側の結晶アレイ(410)の付近に光学的に配置されている。光検出器アレイ(430)内の選択光検出器は、選択光検出器が可視光で照射されると出力信号を供給する。γ放射線の強度と位置を示す信号を処理および出力するために、該光検出器(430)のアレイの出力信号からの入力を備えた集積回路を使用している。

Claim (excerpt)：

第1の周波数領域を有する入射ガンマー線のためのモジュール放射線検出装置であって、複数のモジュールを具備し、各モジュールが; 入射ガンマー線により照射されたとき該第1の周波数領域よりも小さい周波数領域で光子を放出するダウンコンバーション物質と; 該ダウンコンバーション物質と整合して配置された半導体光検出素子アレイであって、各光検出素子が第2の周波数領域の光子の実質的部分を受理し得るように形成された光検出活性域を有し、上記放出光により照射されたとき出力信号を発生するものと; 該光検出素子アレイからの出力信号の入力部を有する集積回路と;を具備してなり; これらモジュールが全辺突合自在となっている検出装置。

IPC (5)：

G01T 1/24 , G01T 1/161 , G01T 1/20 , H01L 27/14 , H01L 31/09

FI (7)：

G01T 1/24 , G01T 1/161 E , G01T 1/20 E , G01T 1/20 G , H01L 31/00 A , H01L 27/14 K , H01L 27/14 D

F-Term (28)：

2G088EE01 , 2G088FF02 , 2G088FF04 , 2G088GG19 , 2G088GG21 , 2G088JJ05 , 2G088JJ13 , 4M118AA01 , 4M118AA10 , 4M118AB10 , 4M118BA06 , 4M118CA02 , 4M118CA05 , 4M118CA19 , 4M118CB02 , 4M118CB11 , 4M118GD20 , 4M118HA22 , 5F088AA11 , 5F088AA20 , 5F088AB09 , 5F088BA15 , 5F088BB07 , 5F088EA04 , 5F088EA14 , 5F088FA09 , 5F088HA20 , 5F088JA17

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