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J-GLOBAL ID：200903092156757087

薄膜太陽電池

Inventor： 佐藤 広喜
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993040323
Publication number (International publication number)：1994252433
Application date： Mar. 02, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：

【要約】【目的】ソーダライムガラス板の上にMo電極を備えた基板上のCu/In積層膜をセレン化してCuInSe2 膜を成膜する際、電極の剥離およびMoのセレン化物生成による薄膜太陽電池特性の低下を防ぐ。【構成】Mo電極層とガラス板の間に、熱膨張係数がソーダライムガラスとMoの中間にあるTa、Cr、Nb、Tiなどの緩衝層を介在させることにより、Moとソーダライムガラスとの熱膨張係数の差に起因する高温プロセス時の電極剥離が防止され、剥離部にセレン雰囲気が入ることに起因するセレン化物の生成も起きない。

Claim (excerpt)：

光電変換のためのI-III -VI2 族カルコパイライト型三元化合物薄膜がソーダライムガラス板上にモリブデン電極を備えた基板上に形成されたものにおいて、ガラス板とモリブデン電極層との間に熱膨張係数がソーダライムガラスとモリブデンの中間にある金属よりなる緩衝層が介在することを特徴とする薄膜太陽電池。