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J-GLOBAL ID：200903092171680643

半導体結晶成長方法

Inventor： 中澤 健 ,  水庭 清治 ,  和地 三千則 ,  山本 俊輔 ,  井谷 賢哉
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 川澄 茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002026701
Publication number (International publication number)：2003226594
Application date： Feb. 04, 2002
Publication date： Aug. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】VB法又はVGF法による半導体結晶成長方法において、成長界面の径方向の温度分布を均一にすることで、結晶内部に対し外周部が早く固化することを防ぎ、成長途中で転位が内部に集積し多結晶化するのを防止可能にする。【解決手段】VB法又はVGF法により化合物半導体の単結晶を成長する過程において、単結晶成長炉垂直方向に複数ある電気炉発熱体のうち、成長用発熱体1の垂直中心位置1aと結晶の成長界面7の位置のずれ11を、成長用発熱体1の高さHの±5パーセントの範囲に収まるように調整することにより、成長界面7の径方向の温度分布を均一にして成長する。

Claim (excerpt)：

垂直ブリッジマン法又は垂直温度傾斜法により化合物半導体の単結晶を成長する過程において、単結晶成長炉垂直方向に複数ある電気炉発熱体のうち、成長用発熱体の垂直中心位置と結晶の成長界面位置のずれを、成長用発熱体高さの±5パーセントの範囲に収まるように調整することにより、成長界面の径方向の温度分布を均一にして成長することを特徴とする半導体結晶成長方法。

IPC (2)：

C30B 11/00 ,  C30B 29/42

FI (2)：

C30B 11/00 Z ,  C30B 29/42

F-Term (8)：

4G077AA02 ,  4G077BE46 ,  4G077CD02 ,  4G077CD04 ,  4G077EH07 ,  4G077MB04 ,  4G077MB08 ,  4G077MB33