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J-GLOBAL ID：200903092177301970

光電変換装置およびその製造方法

Inventor： 上松 強志 ,  村松 信一 ,  蕨迫 光紀 ,  筒井 謙 ,  大塚 寛之
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997033565
Publication number (International publication number)：1998229211
Application date： Feb. 18, 1997
Publication date： Aug. 25, 1998
Summary：

【要約】【解決手段】 光電変換素子チップの基板部分の端面を、これに接っする誘電体からなるパッシベーション膜で被覆する。この被覆は、例えば、チップ化工程後に、チップの基板部分の少なくとも露出端面に接するようにパッシベーション膜を形成することにより成される。【効果】 素子面積を増大させることなくリーク電流成分を飛躍的に低減し、光電変換効率を向上できる。

Claim (excerpt)：

一導電型の結晶性シリコン基板中に接合型の光電変換領域が形成されている光電変換素子を有する光電変換装置において、誘電体からなるパッシベーション膜が上記一導電型基板の端面に接して形成されていることを特徴とする光電変換装置。

FI (2)：

H01L 31/04 F ,  H01L 31/04 H