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J-GLOBAL ID：200903092179744594

半導体レーザ素子の製造方法及び半導体レーザ素子

Inventor： 近江 晋
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998274872
Publication number (International publication number)：2000106470
Application date： Sep. 29, 1998
Publication date： Apr. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 エッチングによって共振器面を形成する半導体レーザ素子において、共振器面と素子端面の間を最適な距離を持つ半導体レーザとその製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に半導体層を積層し、活性層上の電極を作製した後、素子分離用の溝を形成し、その後、エッチングにより共振器面を作製する。この方法により作製されたレーザ素子は、素子分割面が光の出射角度の外側に位置し、かつ、活性層が素子分割面からの結晶欠陥の影響を受けない位置にある。

Claim (excerpt)：

エッチングにより共振器を作製する半導体レーザ素子の作製方法において、基板上に半導体層を積層し、活性層上の電極を作製した後、素子分離用の溝を形成し、その後、エッチングにより共振器面を作製することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。

IPC (2)：

H01S 5/10 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 640 ,  H01L 33/00 C

F-Term (15)：

5F041AA06 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F073AA73 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA31 ,  5F073DA34 ,  5F073EA18