Pat
J-GLOBAL ID：200903092184996186
半導体製造装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
油井 透 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000275404
Publication number (International publication number)：2002093714
Application date： Sep. 11, 2000
Publication date： Mar. 29, 2002
Summary：
【要約】【課題】 ホットワイヤCVDにおいて、高温発熱体で消費される電力の無駄をなくし、成膜プロセスに応じた最適な反応活性を実現して、基板面内で良好な膜質及び膜厚均一性を得る。【解決手段】 高温素線29から構成される高温発熱体は、単一の電力制御しかできない一つの発熱系ではなく、個別の電力制御ができる複数の発熱系で構成する。そのために高温発熱体を複数の発熱体ユニット28A〜28Eで構成する。また、発熱体ユニット28に反応ガスを接触させ分解して基板を処理する反応室を適宜分割して複数の領域23〜27を形成する。これらの領域23〜27に複数の発熱体ユニット28A〜28Eをそれぞれ配置する。各発熱体ユニット28は、互いに独立にまたは複数個づつ組み合わされて電力制御されるようにして、反応室12の全体できめ細かな温度制御が行えるようにする。
Claim (excerpt)：
基板を処理する反応室と、前記反応室内に反応ガスを供給するガス供給手段と、前記反応室内に供給された反応ガスと接触することにより前記反応ガスを分解する高温発熱体とを備え、前記高温発熱体は、互いに独立にまたは複数個づつ組み合わされて制御されるユニットから構成され、前記ユニットは前記反応室内を適宜分割した複数の領域に配置されていることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/205
, C23C 16/44 A
4K030FA17
, 4K030KA24
, 4K030KA41
, 5F045AA03
, 5F045AB03
, 5F045AC01
, 5F045BB02
, 5F045DP03
, 5F045EK07
, 5F045EK25
, 5F045GB15
