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J-GLOBAL ID：200903092204998610

無電解めっき方法及び無電解めっき液

Inventor： 由尾 啓 ,  瀬川 雄司 ,  駒井 尚紀
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 逢坂 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999192709
Publication number (International publication number)：2001020077
Application date： Jul. 07, 1999
Publication date： Jan. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置の接続孔などのように、アスペクト比の大きい部分に、銅を用いた良質な成膜が可能な無電解めっきによるめっき方法及びめっき液を提供すること。【解決手段】 接続孔6の表面に形成されたバリア層5上に銅の無電解めっきを行うに際し、めっき促進剤として金、ニッケル、パラジウム、コバルト及び白金などの金属の塩を、この無電解めっき液組成中の銅の塩に対して1モル%以下の量で添加する。これにより、銅よりも触媒性の高い金属が銅の析出前に析出するので、その後に銅が良質のめっき膜として析出することができる。

Claim (excerpt)：

銅の塩と、キレート剤と、還元剤とを含む無電解めっき液を用い、活性化処理された被めっき物の表面に銅の無電解めっきを施すに際し、前記無電解めっき液にめっき促進剤として、金、ニッケル、パラジウム、コバルト及び白金などの金属の塩を、この無電解めっき液組成中の銅の塩に対して1モル%以下の量で添加する、無電解めっき方法。

IPC (3)：

C23C 18/38 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/3205

FI (3)：

C23C 18/38 ,  H01L 21/288 M ,  H01L 21/88 M

F-Term (32)：

4K022AA41 ,  4K022AA42 ,  4K022BA08 ,  4K022CA06 ,  4K022CA21 ,  4K022DA01 ,  4K022DB01 ,  4K022DB02 ,  4K022DB04 ,  4K022DB05 ,  4K022DB06 ,  4K022DB07 ,  4K022DB08 ,  4K022DB24 ,  4M104BB04 ,  4M104BB32 ,  4M104DD22 ,  4M104DD53 ,  4M104HH13 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK32 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP28 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX02