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J-GLOBAL ID：200903092207220156

エッチング装置及びエッチング方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  林 茂則 ,  寺本 聡 ,  伊藤 健二
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994018950
Publication number (International publication number)：1995207468
Application date： Jan. 19, 1994
Publication date： Aug. 08, 1995
Summary：

【要約】【構成】 ハロゲン元素が添加されたヘリュームを主成分とする気体を同心円状に形成された電極11と12との間で印加される高周波エネルギーによって、5〜150Torrの圧力でプラズマ化し、基板1をエッチングする装置であって、基板表面に接地された電極18を設けることによって、基板1が帯電することを防ぎ、基板の抵抗に関係なくエッチング効率を高める。

Claim (excerpt)：

同心円筒状に構成された外側電極並びに内側電極と、前記外側電極と内側電極の隙間に挿入された円筒状絶縁体とを有し、5〜150Torrの圧力でプラズマを生じせしめてプラズマエッチングを行なうエッチング装置であって、エッチングさせる被加工物表面の電位を接地電位とするために前記被加工物表面を接地させる構成を有することを特徴とするエッチング装置。

IPC (3)：

C23F 4/00 ,  H05H 1/46 ,  H01L 21/3065