Pat
J-GLOBAL ID：200903092224916075
プラズマCVD装置に用いる電極及びプラズマCVD装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993187738
Publication number (International publication number)：1995045539
Application date： Jul. 29, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：
【要約】【目的】 成膜対象基体やそれに形成される膜のプラズマダメージを低減できるとともに、微粒子が成膜対象基体や真空容器内各部に付着することを抑制でき、さらに、気相重合反応による微粒子発生を一層抑制でき、従ってまた、それだけ高速成膜が可能となるプラズマCVD装置に用いる電極及び該電極を備えたプラズマCVD装置を提供する。【構成】 プラズマCVD装置に用いる、成膜対象基体S1に対向配置される電極3であって、高周波電圧又は直流電圧印加電極部31と接地電極部32とを含み、プラズマを閉じ込めることができるプラズマ室35を形成し、プラズマ室35にプラズマ原料ガス供給孔312a及びプラズマ中のラジカルを放出するためのラジカル放出窓321aを備え、プラズマ室外の部分に基体S1に向け成膜用ガスを放出するためのガス放出孔321cを備えた電極3及び該電極3を備えたプラズマCVD装置。
Claim (excerpt)：
プラズマCVD装置に用いる、成膜対象基体に対向配置される電極であって、高周波電圧又は直流電圧印加電極部と接地電極部とを含む、プラズマを閉じ込めるためのプラズマ室を形成し、該プラズマ室にプラズマ原料ガス供給孔及びプラズマ中のラジカルを放出するためのラジカル放出窓を設け、さらに、前記ラジカル放出窓からのラジカル放出を妨げない前記プラズマ室外の部分であって、前記接地電極部の成膜対象基体に向けられる部分に、成膜用ガスを放出するためのガス放出部を設けたことを特徴とするプラズマCVD装置に用いる電極。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (1)
Return to Previous Page
