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J-GLOBAL ID：200903092227361449
透明導電性積層体
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
前田 純博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994202130
Publication number (International publication number)：1996064034
Application date： Aug. 26, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：
【要約】【目的】透過率、屈曲耐久性の向上。【構成】有機高分子成形物上に非晶質のインジウム-錫酸化物からなる透明導電層を形成し、しかる後に加熱による熱処理によりインジウム-錫酸化物を結晶質に転化させて形成した透明導電性積層体において、熱処理後の結晶質のインジウム-錫酸化物の結晶粒径が15〜100nmの範囲である。
Claim (excerpt)：
有機高分子成形物上に非晶質のインジウム-錫酸化物からなる透明導電層を形成し、しかる後に加熱による熱処理によりインジウム-錫酸化物を結晶質に転化させて形成した透明導電性積層体において、熱処理後の結晶質のインジウム-錫酸化物の結晶粒径が15〜100nmの範囲であることを特徴とする透明導電性積層体。
IPC (4)：
H01B 5/14
, B32B 9/00
, C08J 7/06
, C23C 14/08
